Foto diyotlar PN birleşim bölgelerine ışık düşecek şekilde yapılmış yarı iletken
diyotlardır ve daima ters polarmada çalıştırılırlar. Karanlık ortamda yalıtkandırlar, yani
sadece ihmal edilebilecek küçüklükte bir sızıntı akımı akar. Foto diyot üzerine ışık
geldiğinde, gerilim setti bölgesinde iç fotoelektrik olayına göre yük taşıyıcıları serbest hale
geçerler ve böylece foto- diyot iletime gider. Bu ters yönde akan akım ışık şiddeti ile doğru
orantılıdır.
Bir foto diyot besleme gerilimi olmaksızın çalıştırıldığında ise aydınlık ortamda
uçlarında gerilim oluşur (- kutup N , + kutup P maddesinde olmak üzere).O halde bir foto
diyot güneş pili gibi de çalışabilir. Foto diyotların spektral hassasiyetleri morötesinden
(Ultraviole) başlayıp, kızılötesi (Infraruj) ışın sahasına kadar uzanmaktadır. Silisyum foto
diyot veya foto transistörün görülebilir ışığa reaksiyonu maksimum %75 civarlarındadır ve
en hassas olduğu bölge kızılötesi ışığın olduğu bölgedir. Germanyum foto diyot veya foto
transistör ise görülebilir ışığa hemen hiç reaksiyon göstermez, fakat kızılötesi ışınlara karşı
hassasiyeti en yüksek seviyededir. Resim 2.11’de optik algılayıcılardan örnekler görülüyor.

Foto transistörler Yapısı ve Çalışması